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Affichage 21 articles: RFM42B-DEMO à RGP15M (Page 472 sur 1235)

Module RFM42B-DEMO
RFM42B-DEMO
80.70€ TTC
2 En stock
2 En stock

Kit de développement pour émetteur RF RFM42B.

 
 
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Tarifs dégressifs

Module RFM43B-433-D
RFM43B-433-D
13.05€ TTC
296 En stock
296 En stock

Module émetteur radio RF. Puissance: +13dBm 433MHz DIP. Fréquence: 433MHz. Paire: RFM31B. Tension d'alimentation: 1.8 à 3.6VDC. Constructeur: HOPE RF. Dimensions: 14.0x15.5x8.6mm.

 
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Module RFM43B-433-S2
RFM43B-433-S2
14.30€ TTC
499 En stock
499 En stock

Module émetteur radio RF. Puissance: +13dBm 433MHz SMD. Fréquence: 433MHz. Paire: RFM31B. Tension d'alimentation: 1.8 à 3.6VDC. Constructeur: HOPE RF. Dimensions: 16.0x16.0x1.9mm.

 
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Tarifs dégressifs

Module RFM43B-868-D
RFM43B-868-D
13.05€ TTC
299 En stock
299 En stock

Module émetteur radio RF. Puissance: +13dBm 868MHz DIP. Fréquence: 868MHz. Paire: RFM31B. Tension d'alimentation: 1.8 à 3.6VDC. Constructeur: HOPE RF. Dimensions: 14.0x15.5x8.6mm.

 
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Module RFM43B-868-S2
RFM43B-868-S2
14.30€ TTC
394 En stock
394 En stock

Module émetteur radio RF. Puissance: +13dBm 868MHz SMD. Fréquence: 868MHz. Paire: RFM31B. Tension d'alimentation: 1.8 à 3.6VDC. Constructeur: HOPE RF. Dimensions: 16.0x16.0x1.9mm.

 
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Module RFM43B-DEMO
RFM43B-DEMO
80.70€ TTC
3 En stock
3 En stock

Kit de développement pour émetteur RF RFM43B.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor RFP3055
RFP3055
3.55€ TTC
63 En stock
63 En stock

Transistor RFP3055 N-MOS 60V 12A 53W<0.15R TO220. Enhancement-Mode Power MOSFET. MegaFET. Constructeur: HARRIS. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.15. Puissance: 53 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor RFP50N06
RFP50N06
4.00€ TTC
29 En stock
29 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 50A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 131W. Résistance Rds: 0.022 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

 
 
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Transistor RFP70N06
RFP70N06
7.45€ TTC
23 En stock
23 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 70A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 70A. Puissance: 150W. Résistance Rds: 0.014 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode RFU20TM5S
RFU20TM5S
10.55€ TTC
6 En stock
6 En stock

Diode silicium 530V 20A/100Ap 23ns. Constructeur: ROHM. Montage traversant. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Matériau: SI. Vrrm: 530V. Courant d'alimentation(AV): 20A. Trr(Min.): 23ns. Tension de seuil min: 1.65V. Tension de seuil maxi: 2V. Organisation: Anode-Cathode. Plage de température: -55°C à +150°C. Ultrafast Soft Recovery

 
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Diode RG2Y
RG2Y
2.40€ TTC
34 En stock
34 En stock

Diode 70V 1.5A/50Ap. Trr: 100ns

 
 
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Diode RG4A
RG4A
2.40€ TTC
590 En stock
590 En stock

Diode silicium 600V 2A. Trr: 100ns. Boîtier DO-27 (6.5x8.0mm). Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diode.

 
 
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Diode RG4C
RG4C
4.20€ TTC
53 En stock
53 En stock

Diode silicium 1000V 2A. Trr: 100ns. Tension de seuil: 3V. Boîtier DO-27 (6.5x8.0mm). Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diode.

 
 
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Diode RG4Z
RG4Z
4.75€ TTC
67 En stock
67 En stock

Diode silicium 200V 3A. Trr: 100ns. Boîtier DO-27 (6.5x8.0mm). Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diode.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode RGP02-20E
RGP02-20E
0.85€ TTC
5282 En stock
5282 En stock

Diode silicium 2000V 0.5A. Trr<300ns. Boîtier DO-15 (2.7x5.2mm). Fast Switch.

 
 
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Diode RGP10B
RGP10B
0.75€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Diode silicium 100V 1A. Trr<150ns. Boîtier DO-204AL (2.7x5.2mm).

 
 
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Diode RGP10D
RGP10D
0.75€ TTC
198 En stock
198 En stock

Diode silicium 200V 1A. Trr<150ns. Boîtier DO-204AL (2.7x5.2mm).

 
 
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Diode RGP10G
RGP10G
1.60€ TTC
69 En stock
69 En stock

Diode 400V 1A/30Ap. Trr: 150ns

 
 
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Diode RGP10J
RGP10J
0.85€ TTC
737 En stock
737 En stock

Diode silicium 600V 1A. Trr<250ns. Boîtier DO-204AL (2.7x5.2mm).

 
 
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Diode RGP15J
RGP15J
1.65€ TTC
99 En stock
99 En stock

Diode silicium 600V 1.5A. Trr<250ns. Boîtier DO-204AC. Fast Switch.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode RGP15M
RGP15M
2.15€ TTC
41 En stock
41 En stock

Diode silicium 1000V 1.5A. Trr<500ns. Boîtier DO-204AC. Fast Switch.

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON